Kiel Nano, Surface and Interface Science (KiNSIS)

Von der Siliziumtechnologie zu Wide-Bandgap Leistungshalbleitern (Antrittsvorlesung Prof. Kapels)

26.06.2017 von 17:15 bis 18:45

Institute Ostufer, Geb. D, "Aquarium", Kaiserstr. 2, 24143 Kiel

Abstract:

 
Kontinuierliche Innovationen im Bereich der siliziumbasierten Leistungshalbleiterbauelemente ermöglichten grundlegende Fortschritte für eine effiziente dezentrale Energieversorgung, die Weiterentwicklung der Elektromobilität und energieeffiziente Stromrichter für Industrie- und Consumer-Anwendungen. Aktuelle Trends in Leistungsdichte und Gewicht werden jedoch zunehmend nicht mehr mit Halbleiterbauelementen auf Siliziumbasis erfüllt werden können. Leistungstransistoren auf Basis von SiC und GaN ermöglichen hier Zukunftspotentiale zu heben. Die Vorlesung zeigt die wesentlichen Bauelementekonzepte, aktuelle Herausforderungen und Lösungen auf.

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  • 17:00: Modellsysteme der Tyrosinase: Von mono - zu binuklearen Kupfer(I) - Komplexen (Benjamin Herzigkeit)
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  • 17:00: Entwicklungsstrategien beim Tablettieren (Gerhard Waßmann, Lehmann & Voss & Co.KG)
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  • 16:15: tba (Livio Narici, INFN Italian National Institute for Nuclear Physics, Rome)
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